Einflussgrößen-Wirkungsanalyse zur einfachen Lebensdauerabschätzung hoch stabiler Verbindungen in der Leistungselektronik
IGF-Vorhaben-Nr.:
20.137 BG
Laufzeit:
01.11.2018
-
30.04.2021
Forschungseinrichtungen:
Institut für Mikrosystemtechnik Prof. für Aufbau und Verbindungstechnik
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik - Zentrum
Fachgebiete:
GC Elektrotechnik, Elektronik, Elektroniksysteme,
EA Energietechnik, auch: rationelle Energieumwandlung, Energieeffizienz, HA Fahrzeug- und Verkehrstechnologien, auch: Antriebstechnik
Wirtschaftszweige:
27 Herstellung von elektrischen Ausrüstungen, 26 Herstellung von Datenverarbeitungsgeräten, elektronischen und optischen Erzeugnissen
, 29 Herstellung von Kraftwagen und Kraftwagenteilen
Vorhabenbeschreibung:
Antriebe im Kilo- bis Megawattbereich werden in der Regel mit Umrichtermodulen auf der Basis von Insulated Gate Bipolar Transistoren (IGBT) und Dioden betrieben. Die Auslegungskonzepte sehen mittlerweile Junction-Temperaturen von über 175 °C vor. In der Leistungselektronik war bisher das Löten der dominierende Chipmontageprozess, da somit hohe el. und therm. Leitfähigkeit sowie ausreichende Temperaturzyklen-Beständigkeit erreicht werden.
Die mechatronische Integration, z.B. der Einbau von Leistungselektronik direkt im Motorgehäuse, erfordert miniaturisierte Halbleiterbrücken und bedingt sehr hohe Leistungsdichten. In Abhängigkeit von Ausnahmeregelungen der EU-RoHS sind zukünftig ggf. vollständig bleifreie Verbindungstechniken auch für die Leistungselektronik verfügbar zu machen. Einer der Wege, die genannten Spezifikationen einzuhalten, liegt im Aufbau mit Bare-Chips anstelle gehäuster Komponenten. Eine innovative Lösung hierzu stellt die Montage der Leistungsbauelemente direkt auf Kupfer-Leiterrahmen oder auf organisch isolierte Metallkerne dar. Das bei der Montage von IGBTs bisher dominierende Löten mit hoch schmelzenden Pb-Loten (TLöt>350°C) führt jedoch zu Materialbelastungen und potentiellen Qualitätsproblemen, insbes. bei neuartigen Leistungsbauelementen wie GaN. Daher wurde in den letzten Jahren mit hohem Aufwand die sog. Silber-Sintertechnik (NTV), mit Prozesstemperaturen von etwa 200 – 250 °C etabliert. Sie wurde bisher allerdings nur für bestimmte Substrattypen (DCB) vor allem von Nicht-KMU industrialisiert. Einer des Hindernisse für den breiteren Einsatz des Sinterns speziell in KMU ist das Fehlen von Informationen über die relevanten Eigenschaften gesinterter Aufbauten, wie die Zyklenbeständigkeit in Abhängikeit von Konstruktionsmerkmalen.
Da Leistungsbaugruppen oft in kleinen Stückzahlen und mit starker Spezialisierung hergestellt werden, können insbesondere viele KMU von den neuen Verfahren zum Entwurf profitieren. Das Vorhaben unterstützt beim Ersetzen von bleihaltigen Lotverbindungen durch eine bleifreie Verbindungstechnik und trägt damit zu einem verbesserten Umweltschutz bei.
KMU haben zu dieser Technologie bisher nur schwer Zugang gewonnen, obwohl der Prozess nach unserer Einschätzung fertigungstechnisch eher unkritisch, wenig kapitalintensiv und somit gut KMU-tauglich ist.